Description
Transistor STP12NM50 MOSFET CANAL N 500V 12A 0.35ohm
- Type de canal : N
- Courant continu de Drain maximum : 12 A
- Tension Drain Source maximum : 500 V
- Résistance Drain Source maximum : 350 mΩ
- Tension de seuil maximale de la grille : 5V
- Tension de seuil minimale de la grille : 3V
- Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
- Type de boîtier : A-220
- Mode canal : Enrichissement
- Catégorie : MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum : 160 W
- Capacitance d’entrée typique @ Vds : 1000 pF @ 25 V
- Charge de Grille type @ Vgs : 28 nC @ 10 V
- Température de fonctionnement minimum : -65 °C
- Retard à la conduction typique : 20 ns
- Matériau du transistor : Si
- Série : MDmesh
- Température d’utilisation maximum : +150 °C
- Dimensions : 10.4 x 4.6 x 9.15mm
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