Description
Transistor MOSFET N 200V IRFB4020 TO-220AB
Polarité transistor: Canal N
Courant de drain Id: 18A
Tension Vds max..: 200V
Résistance Rds(on): 0.1ohm
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 4.9V
Dissipation de puissance Pd: 100W
Type de boîtier de transistor: TO-220AB
| Poids | 2g |
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