Description
Transistor Mosfet IRFB260NPBF – 200V – 56A – TO-220AB
- Type de canal : N
- Courant continu de Drain maximum : 56 A
- Tension Drain Source maximum : 200 V
- Résistance Drain Source maximum : 40 mΩ
- Tension de seuil maximale de la grille : 4V
- Tension de seuil minimale de la grille : 2V
- Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V
- Type de boîtier : TO-220AB
- Type de montage : Traversant
- Mode canal : Enrichissement
- Catégorie : MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum : 380 W
- Largeur : 4.69mm
- Hauteur : 15.24mm
- Longueur : 10.54mm
- Température d’utilisation maximum : +175 °C
- Température de fonctionnement minimum : -55 °C
- Série : HEXFET
- Matériau du transistor : Si
- Retard à la conduction typique : 17 ns
- Charge de Grille type @ Vgs : 150 nC @ 10 V
- Capacitance d’entrée typique @ Vds : 4220 pF @ 25 V
- Retard au blocage typique : 52 ns
| Poids | 2g |
| Alimentation | Secteur Français |
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