Description
Transistor Mosfet IRF2807 Canal N
- Type de canal : N
- Courant continu de Drain maximum : 82 A
- Tension Drain Source maximum : 80 V
- Résistance Drain Source maximum : 13 mΩ
- Tension de seuil maximale de la grille : 4V
- Tension de seuil minimale de la grille : 2V
- Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
- Type de boîtier : TO-220AB
- Type de montage : Traversant
- Mode canal : Enrichissement
- Catégorie : MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum : 230 W
- Température de fonctionnement minimum : -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs : 160 nC @ 10 V
- Capacitance d’entrée typique @ Vds : 3820 pF @ 25 V
- Retard au blocage typique : 49 ns
- Température d’utilisation maximum : +175 °C
- Dimensions : 10.54 x 4.69 x 8.77mm
- Matériau du transistor : Si
- Retard à la conduction typique : 13 ns
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