Description
Transistor MOSFET IRF1010E
TO220
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 84 A
- Tension Drain Source maximum 60 V
- Résistance Drain Source maximum 0,012 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 4V
- Tension de seuil minimale de la grille 2V
- Tension Grille Source maximum ±20 V
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 200 W
- Configuration Simple
- Longueur 10.54mm
- Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77mm
- Hauteur 8.77mm
- Température d’utilisation maximum +175 °C
| Poids | 1g |
| Hauteur | 5mm |
| Largeur | 10mm |
| Longueur | 29mm |
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