Description

  • Polarité transistor Canal N
  • Courant de drain Id 18A
  • Tension Vds max.. 200V
  • Résistance Rds(on) 0.15ohm
  • Tension, mesure Rds 10V
  • Tension de seuil Vgs 4V
  • Dissipation de puissance Pd 150W
  • Type de boîtier de transistor TO-220AB
  • Température max.. 175°Ca

Poids 1g
Diametre 1mm
Hauteur 1mm
Largeur 1mm
Longueur 1mm

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Soyez le premier à laisser votre avis sur “Transistor IRF640N MOSFET N 200V 18A”

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *