Description
Transistor IRF5210 Mosfet canal-P -100V -40A 200W
- Fabricant : Infineon (IRF)
- Type de transistor : P-MOSFET
- La technologie : HEXFET®
- Polarisation : unipolaire
- Tension drain-source : -100V
- Courant du drain : -40A
- Puissance : 200W
- Boîtier : TO220AB
- Tension entrée-source : ±20V
- Résistance en état de conduction : 60mΩ
- Montage : THT
- Charge d’entrée : 120nC

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