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Transistor G12N60C3D IGBT Canal N 600V 12A

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Transistor G12N60C3D IGBT Canal N 600V 12A

Le prix initial était : 12,50 €.Le prix actuel est : 10,00 €.

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Description
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Description

Transistor G12N60C3D IGBT Canal N 600V 12A

Fabricant : ONSEMI
Type de transistor : IGBT
Tensions collecteur-émetteur : 600V
Courant du collecteur : 12A
Puissance de dissipation : 104W
Boîtier : TO247-3
Tension entrée – émetteur : ±20V
Courant du collecteur d’impulsion : 96A
Montage : THT
Charge d’entrée : 71nC

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