Description
Transistor FQP12N60C MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 12 A
- Tension Drain Source maximum 600 V
- Résistance Drain Source maximum 0,65 Ω
- Tension Grille Source maximum ±30 V
- Type de boîtier TO-220AB
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 225 W
- Dimensions 10.1 x 4.7 x 9.4mm
- Température d’utilisation maximum +150 °C

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