Description

Transistor FQP12N60C MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V

  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 12 A
  • Tension Drain Source maximum 600 V
  • Résistance Drain Source maximum 0,65 Ω
  • Tension Grille Source maximum ±30 V
  • Type de boîtier TO-220AB
  • Catégorie MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum 225 W
  • Dimensions 10.1 x 4.7 x 9.4mm
  • Température d’utilisation maximum +150 °C

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Soyez le premier à laisser votre avis sur “Transistor FQP12N60C MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V TO-220”

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *