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TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET de puissance, Canal N, 9.5 A, 600 V

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TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET de puissance, Canal N, 9.5 A, 600 V

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Description
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Description

TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET CANAL N

Polarité transistor: Canal N
Courant de drain Id: 9.5A
Tension Vds max..: 600V
Résistance Rds(on): 0.6ohm
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 4V
Dissipation de puissance Pd: 156W
Boîtier de transistor: TO-220
Température de fonctionnement max..: 150°C

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