Description

Transistor 4DNF60L 4DF60L MOSFET-N 60V 4A SO-8

  • Fabricant : ST MICROELECTRONICS
  • Type de transistor : N-MOSFET x2
  • La technologie : STripFET™ F7
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : 60V
  • Courant du drain : 3A
  • Puissance : 2.5W
  • Boîtier : SO8
  • Tension entrée-source : ±20V
  • Résistance en état de conduction : 65mΩ
  • Montage : SMD

Poids 1g

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Soyez le premier à laisser votre avis sur “Transistor 4DNF60L 4DF60L MOSFET-N 60V 4A SO-8”

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *