Description

Transistor IRF5210 Mosfet canal-P -100V -40A 200W

  • Fabricant : Infineon (IRF)
  • Type de transistor : P-MOSFET
  • La technologie : HEXFET®
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : -100V
  • Courant du drain : -40A
  • Puissance : 200W
  • Boîtier : TO220AB
  • Tension entrée-source : ±20V
  • Résistance en état de conduction : 60mΩ
  • Montage : THT
  • Charge d’entrée : 120nC

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