Description
Remplacé par MOSFET TK9J90E Silicone N-Channel MOS
- Courant de drain Id: 9A
- Dissipation de puissance Pd: 250W
- Tension Vds max..: 900V
- Nombre de broches: 3
- Résistance Rds(on): 1.3ohm
- Température de fonctionnement max..: 150°C
- Polarité transistor: Canal N
- Tension, mesure Rds: 10V
- Tension de seuil : 5V
- Tension entrée-source : ±30V
- Type de boîtier de transistor: TO-3PN
peut être remplacé par STW11NK90Z
| Alimentation | Secteur Français |
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