Description

Transistor de puissance MJ11016 NPN TO 3 pour HK

  • Polarité transistor NPN
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 120V
  • Fréquence de transition ft –
  • Dissipation de puissance Pd 200W
  • Courant de collecteur DC 30A
  • Gain en courant DC hFE 1000hFE
  • Type de boîtier de transistor TO-3
  • Température de fonctionnement max.. 200°C

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